专利名称：

发明

一种高温晶体生长装置

终止 转让

申请公布号：

CN1721587A

申请公布日：

2006-01-18

申请号：

2005100426927

申请日：

2005-05-23

申请人：

西安理工大学,

地址：

710048陕西省西安市金花南路5号

发明人：

陈治明,李留臣,马剑平,封先锋,蒲红斌,

分类号：

C30B 35/00

专利代理机构：

西安通大专利代理有限责任公司

代理人：

罗笛

最终地址：

710100 陕西省西安市航天产业基地工业二路55号

最终专利权人：

西安鑫晶光电科技有限公司

摘要：

本发明的高温晶体生长装置，包括机架、固定在机架上的真空加热装置，真空加热装置包括与机架相固定的石英管，石英管的外围环绕设置有感应加热线圈，通过感应对被加热工件进行加热。本发明采用感应加热线圈替代加热器，并将感应加热线圈置于真空室外围，保证了真空生长室的超高洁净度，从而能保证晶体质量，而且整个装置体积减小，结构简单。

日期	最新法律状态	描述
2016-07-20	专利权的终止	IPC(主分类)： C30B35/00 授权公告日： 20070523 终止日期： 20150523
2012-07-04	专利权的继承或转让	IPC(主分类)： C30B35/00 变更前： 专利权人： 西安理工大学 地址： 710048陕西省西安市金花南路5号 变更后： 专利权人： 西安鑫晶光电科技有限公司 地址： 710100陕西省西安市航天产业基地工业二路55号 登记生效日： 20120530
2007-05-23	授权
2006-03-08	实质审查的生效
2006-01-18	公开