专利名称：

发明

具有改善的高频特性的VCSEL、半导体激光器件及光发送装置

终止

申请公布号：

CN101127433A

申请公布日：

2008-02-20

申请号：

2007100910651

申请日：

2007-04-06

申请人：

富士施乐株式会社,

地址：

日本东京

发明人：

植木伸明,向山尚孝,石井亮次,中村毅,

分类号：

H01S 5/00

专利代理机构：

北京三友知识产权代理有限公司

代理人：

李辉

最终专利权人：

富士施乐株式会社

摘要：

本发明提供一种具有改善的高频特性的垂直腔面发射激光器、半导体激光器件及光发送装置。该垂直腔面发射激光器包括：基板；形成在所述基板上的第一导电类型的第一半导体层；形成在所述第一半导体层上的有源层；形成在所述有源层上的第二导电类型的第二半导体层；形成在所述基板的主表面上的第一电极配线，所述第一电极配线与所述第一半导体层电连接；形成在所述基板的所述主表面上的第二电极配线，所述第二电极配线与所述第二半导体

日期	最新法律状态	描述
2018-04-20	专利权的终止	IPC(主分类)： H01S5/00 授权公告日： 20100526 终止日期： 20170406
2010-05-26	授权
2008-04-16	实质审查的生效
2008-02-20	公开