专利名称：

发明

一种低温快速沉积钨酸钡微米薄膜的方法

视撤

申请公布号：

CN101358378A

申请公布日：

2009-02-04

申请号：

2008102226257

申请日：

2008-09-19

申请人：

北京工业大学,

地址：

100124北京市朝阳区平乐园100号

发明人：

汪浩,王锐,严辉,李坤威,朱满康,

分类号：

C30B 29/32

专利代理机构：

北京思海天达知识产权代理有限公司

代理人：

魏聿珠

最终专利权人：

北京工业大学

摘要：

一种低温快速沉积钨酸钡微米薄膜的方法属于功能薄膜材料的制备技术领域。现有钨酸钡薄膜的制备方法对沉积条件要求较高，需要真空、高温等条件，另外对衬底的选择具有局限性，必须为导电衬底。本发明以乙二胺四乙酸二钠(EDTA－2Na)为络合剂，在低于100℃的微波水浴中，30分钟之内，在衬底上制备具有纯白钨矿结构，晶粒细小均一致密，且高度结晶的微米钨酸钡薄膜。本发明方法对衬底无特殊要求，导电和非导电衬底均适用

日期	最新法律状态	描述
2011-08-24	专利申请的视为撤回	IPC(主分类)： C30B29/32 公开日： 20090204
2009-04-01	实质审查的生效
2009-02-04	公开