专利名称：

发明

半导体基片加工方法

驳回

申请公布号：

CN101728230A

申请公布日：

2010-06-09

申请号：

2008102243426

申请日：

2008-10-17

申请人：

北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司,

地址：

100016北京市朝阳区酒仙桥东路1号M5座2楼

发明人：

周洋,

分类号：

H01L 21/00

专利代理机构：

北京凯特来知识产权代理有限公司11260

代理人：

赵镇勇

最终专利权人：

北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司

摘要：

本发明公开了一种半导体基片加工方法，在刻蚀工艺前，当基片经过传输路径被放入工艺腔室后，通入Ar气、He气或N2气等非工艺气体对基片表面进行吹扫，以去除由于在传输过程中掉落在基片表面的颗粒；并当刻蚀工艺完成后，基片传出工艺腔室之前，通入Ar气、He气或N2气等非工艺气体对基片表面进行吹扫，以去除由于刻蚀过程中副产物在基片表面的附着物，可以有效的降低由于基片在传输过程中或刻蚀副产物掉落在基片表面的颗粒

主视图

日期	最新法律状态	描述
2012-05-30	专利申请的驳回	IPC(主分类)： H01L21/00 公开日： 20100609
2010-08-11	实质审查的生效	IPC(主分类)： H01L21/00
2010-06-09	公开