专利名称：

发明

一种生长p型AlGaN的方法

视撤

申请公布号：

CN101728250A

申请公布日：

2010-06-09

申请号：

2008102245737

申请日：

2008-10-21

申请人：

北京大学,

地址：

100871北京市海淀区颐和园路5号北京大学

发明人：

张国义,桑立雯,秦志新,张延召,杨志坚,于彤军,方浩,

分类号：

H01L 21/205

专利代理机构：

北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙)11200

代理人：

李稚婷

最终专利权人：

北京大学

摘要：

本发明公开了一种生长p-AlGaN的方法，在用金属有机化学气相沉积方法生长p型AlGaN层时同时通入三甲基铟作为活性剂。通常采用高纯氢气作为载气，三甲基镓、三甲基铝和氨气分别作为Ga源、Al源和N源，二茂镁作为p型掺杂剂，三甲基铟和其他原料同时通入反应室外延生长p-AlGaN，三甲基铟的流量一般控制在20～300sccm。该方法简单易行，效果明显，不仅可以改善p-AlGaN的表面形貌，降低其本身的

主视图

日期	最新法律状态	描述
2012-04-04	专利申请的视为撤回	IPC(主分类)： H01L21/205 公开日： 20100609
2010-08-11	实质审查的生效	IPC(主分类)： H01L21/205
2010-06-09	公开