专利名称：

发明

MOS器件的制造方法和半导体器件阱区的形成方法

驳回

申请公布号：

CN101728268A

申请公布日：

2010-06-09

申请号：

2008102245830

申请日：

2008-10-21

申请人：

中芯国际集成电路制造(北京)有限公司,

地址：

100176北京市经济技术开发区文昌大道18号

发明人：

居建华,

分类号：

H01L 21/336

专利代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司11227

代理人：

李丽

最终专利权人：

中芯国际集成电路制造(北京)有限公司

摘要：

本发明公开了一种半导体器件的制造方法及MOS器件阱区的形成方法，该制造方法包括步骤：提供具有缓冲氧化物层和氮化物层的半导体衬底，在半导体衬底中具有浅沟槽隔离区，所述缓冲氧化物层位于所述浅沟槽隔离区之外的半导体衬底上，所述氮化物层位于所述缓冲氧化物层上；去除所述氮化物层；对具有所述缓冲氧化物层的半导体衬底进行离子注入，形成阱区；去除所述缓冲氧化物层；在半导体衬底上形成栅极；在栅极两侧的半导体衬底中形

主视图

日期	最新法律状态	描述
2013-06-05	专利申请的驳回	IPC(主分类)： H01L21/336 申请公布日： 20100609
2010-08-11	实质审查的生效	IPC(主分类)： H01L21/336
2010-06-09	公开