专利名称：

发明

一种半导体器件栅极的制作方法及调整方法

驳回

申请公布号：

CN101728253A

申请公布日：

2010-06-09

申请号：

2008102245949

申请日：

2008-10-21

申请人：

中芯国际集成电路制造(北京)有限公司,

地址：

100176北京市经济技术开发区文昌大道18号

发明人：

张海洋,杜珊珊,

分类号：

H01L 21/28

专利代理机构：

北京德琦知识产权代理有限公司11018

代理人：

宋志强,麻海明

最终专利权人：

中芯国际集成电路制造(北京)有限公司

摘要：

本发明公开了一种半导体器件栅极的制作方法，在衬底上生成栅氧化层之后，在所述栅氧化层上沉积多晶硅层；在所述多晶硅层上沉积具有应力的氮化硅层，使所述多晶硅层具有相应的应力；去除所述氮化硅层；刻蚀所述多晶硅层，形成栅极，且所述栅极的形状由所述多晶硅层具有的应力确定，当所述应力为拉应力时，形成的栅极底部具有缺角；当所述应力为压应力时，形成的栅极形状为侧壁垂直或底部具有足部。本发明还公开了一种半导体器件栅极

主视图

日期	最新法律状态	描述
2012-12-26	专利申请的驳回	IPC(主分类)： H01L21/28 申请公布日： 20100609
2010-08-11	实质审查的生效	IPC(主分类)： H01L21/28
2010-06-09	公开