专利名称：

发明

三维存储器

实审

申请公布号：

CN108933145A

申请公布日：

2018-12-04

申请号：

201811113446X

申请日：

2018-09-25

申请人：

长江存储科技有限责任公司,

地址：

430074 湖北省武汉市洪山区东湖开发区关东科技工业园华光大道18号7018室

发明人：

李远,潘杰,万先进,朱宏斌,鲍琨,

分类号：

H01L 27/1157

专利代理机构：

上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙)31294

代理人：

董琳,陈丽丽

最终专利权人：

长江存储科技有限责任公司

摘要：

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种三维存储器。所述三维存储器包括：衬底，具有堆叠结构以及沿垂直于所述衬底的方向贯穿所述堆叠结构的沟道孔，所述堆叠结构包括沿垂直于所述衬底的方向依次排列的若干层栅极层；NAND串，覆盖于所述沟道孔的侧壁表面；沟道孔插塞，位于所述沟道孔内，所述NAND串的顶部与所述沟道孔插塞电连接，所述沟道孔插塞的材料与所述栅极层的材料相同。本发明简化了三维存储器的制造步骤，降

主视图

日期	最新法律状态	描述
2023-09-08	授权	授权
2018-12-28	实质审查的生效	IPC(主分类)： H01L27/1157
2018-12-04	公开