专利名称：

发明

一种可补偿镉元素的砷锗镉单晶生长方法

视撤

申请公布号：

CN108930059A

申请公布日：

2018-12-04

申请号：

2018111495294

申请日：

2018-09-29

申请人：

中国电子科技集团公司第四十六研究所,

地址：

300220 天津市河西区洞庭路26号

发明人：

霍晓青,刘禹岑,于凯,徐永宽,赵堃,

分类号：

C30B 11/00

专利代理机构：

天津中环专利商标代理有限公司12105

代理人：

王凤英

最终专利权人：

中国电子科技集团公司第四十六研究所

摘要：

本发明公开了一种可补偿镉元素的砷锗镉单晶生长方法，该方法采用VGF生长装置对Cd元素补偿的CdGeAs2单晶的生长过程进行控制，VGF生长装置包括由石英原料坩埚和平底石英坩埚组成的单晶生长坩埚和五温区生长炉，石英原料坩埚部分设为晶体生长区，平底石英坩埚设为元素补偿区，元素补偿区位于单晶生长坩埚的下方，两区域通过生长坩埚侧壁的元素补偿管相连通，将CdGeAs2和Cd原料放进两层的坩埚内，分温区和步骤

主视图

日期	最新法律状态	描述
2021-02-23	专利申请的视为撤回	IPC(主分类)： C30B11/00 申请公布日： 20181204
2018-12-28	实质审查的生效	IPC(主分类)： C30B11/00
2018-12-04	公开